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表面光電壓surface photovoltage

PL-SPV/IPCE1000 穩(wěn)態(tài)表面光電壓譜儀

PL-SPV/IPCE1000 Stable Surface Photovoltage Spectrometer

產(chǎn)品中心:表面光電壓品牌:泊菲萊瀏覽量:788
表面光電壓技術(shù)可以用來確定半導體導電類型、測定少數(shù)載流子的擴散距離、表面態(tài)參數(shù)測定及光生電荷行為,還可以提供半導體材料的電荷躍遷屬性、缺陷態(tài)、異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移、量子尺寸效應、量子限域特性、光生電荷分離、傳輸及復合等信息。
  • 產(chǎn)品介紹
  • 應用領域
  • 文獻
  • 技術(shù)維護

表面光電壓(SPV)技術(shù)是非接觸式測量方法,該技術(shù)可對光照以后半導體表面的電壓變化進行測量,并具有較高的靈敏度。

近年來,表面光電壓技術(shù)已廣泛應用于光解水制氫、太陽能電池、光催化降解、光電氣敏以及光電化學水氧化等研究領域中,研究人員利用表面光電壓技術(shù)與材料領域相結(jié)合,可解釋相應反應過程中光生電荷的動力學行為,深入了解光生電荷在半導體中分離、傳輸以及復合過程。

表面光電壓技術(shù)可以用來確定半導體導電類型、測定少數(shù)載流子的擴散距離、表面態(tài)參數(shù)測定及光生電荷行為,還可以提供半導體材料的電荷躍遷屬性、缺陷態(tài)、異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移、量子尺寸效應、量子限域特性、光生電荷分離、傳輸及復合等信息。

穩(wěn)態(tài)表面光電壓譜儀示意圖

穩(wěn)態(tài)表面光電壓譜儀示意圖

關鍵特征

● 研究光生電荷行為的一種有效手段,對樣品無損且靈敏度高;

通過高精度高靈敏度鎖相放大器測量材料表面光電壓,測量過程樣品無損,測量靈敏度高達10 ? e ?/cm² ,優(yōu)于普通能譜靈敏度3~5個數(shù)量級;

● 功能多樣,搭配不同測量池可進一步拓展多種功能;

通過測量材料表面光電壓,能夠鑒定半導體材料的導電類型,測量半導體的禁帶寬度,材料改性對表面態(tài)屬性和位置的影響,區(qū)分帶帶躍遷月前和亞帶隙躍遷,區(qū)分異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)類型,測量載流子的擴散距離與方向;

搭配光電化學池可測量材料在液固相反應過程的光電轉(zhuǎn)換效率;

搭配氣固相反應池可以測量不同氣體氛圍下氣固相界面的界面電場以及光電氣敏元件的測量。

● 強大的專家技術(shù)團隊提供可靠的儀器培訓、譜圖解析和數(shù)據(jù)分析等服務

我公司與吉林大學王德軍、謝騰峰教授擁有著長期深入的合作,可提供儀器使用、譜圖解析與數(shù)據(jù)分析等技術(shù)服務。

應用領域

▲特別適用●較為適用 ○可以使用

 

▲ 測量光電功能材料的表面光電壓

 

▲ 鑒定半導體材料的導電類型

 

▲ 測量半導體的禁帶寬度

 

▲ 材料改性對表面態(tài)屬性和位置的影響

 

▲ 區(qū)分帶帶月前和亞帶隙躍遷

 

▲ 區(qū)分異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)類型

 

▲ 測量載流子的擴散距離與方向

 

● 計算光電功能材料的光電轉(zhuǎn)化效率

 

● 測量光電功能材料光反應過程的表面光電流

 

● 測量不同氣體氛圍下氣固相界面的界面電場

● 測量光電氣敏元件

 

技術(shù)參數(shù)

光電壓測量 可測光電壓> 100 nV 光譜波長范圍:300~1000 nm 光譜分辨率:2 nm
光電流測量 可測光電流> 100 pA 光譜波長范圍:300~1000 nm 光譜分辨率:2 nm
光伏相位譜 相檢測范圍:±180° 光譜波長范圍:300~1000 nm  
光電轉(zhuǎn)化效率(IPCE)   光譜波長范圍:300~1000 nm  

代表文獻



測試服務

  • 測量光電功能材料的表面光電壓
  • 鑒定半導體材料的導電類型
  • 測量半導體的禁帶寬度
  • 材料改性對表面態(tài)屬性和位置的影響
  • 區(qū)分帶帶月前和亞帶隙躍遷
  • 區(qū)分異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)類型
  • 測量載流子的擴散距離與方向
  • 計算光電功能材料的光電轉(zhuǎn)化效率
  • 測量光電功能材料光反應過程的表面光電流
  • 測量不同氣體氛圍下氣固相界面的界面電場
  • 測量光電氣敏元件
  • [1]Gao Jianfeng, Ge Lei. In-situ synthesis of novel ternary CdS/PdAg/g-C3N4 hybrid photocatalyst with significantly enhanced hydrogen production activity and catalytic mechanism exploration. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 281: 119509. 
  • [2]Y. Li, Q. Wu, Y. Chen, R. Zhang, C. Li, K. Zhang, M. Li, Y. Lin, D. Wang, X. Zou, T. Xie, Interface engineering Z-scheme Ti-Fe2O3/In2O3 photoanode for highly efficient photoelectrochemical water splitting, Appl. Catal. B Environ. 290 (2021) 120058
  • [3]LiWang,DeliChen,ShuqiMiao,FangChen,ChangfaGuo,PengchengYe,JiqiangNing,YijunZhong,YongHua,Nitric acid-assisted growth of InVO4 nanobelts on protonated ultrathin C3N4 nanosheets as an S-scheme photocatalyst with tunable oxygen vacancies for boosting CO2 conversion,Chemical Engineering Journal,2021, 133867 
  • [4]HaijiaoLu,Yi-MingZhao,Sandra ElizabethSaji,XinmaoYin,AryWibowo,Chi SinTang,ShiboXi,PengfeiCao,MikeTebyetekerwa,BoruiLiu,
  • MarcHeggen,Rafal E.Dunin-Borkowski,AntonioTricoli,Andrew T.S.Wee,Hieu T.Nguyen,Qing-BoYan,ZongyouYin,All room-temperature synthesis, N2 photofixation and reactivation over 2D cobalt oxides,Applied Catalysis B: Environmental,2022, 121001
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